| 导读 | 据韩国媒体 businesskorea 最新消息，三星电子已经开始大规模生产基于极紫外(EUV)技术的 6 纳米芯片。自该公司开始大规模生产 7 纳米产品以来，仅 8 个月就推出了 6 纳米产品。三星升级微加工工艺技术的周期正在缩短。特别是，向 6 纳米 EUV 工艺的过渡，预计将缩小三星与全球最大芯片制造商台湾台积电(TSMC)之间的差距。 |
去年 12 月，三星电子(Samsung Electronics)在京畿道华城校区 S3 线开始批量生产基于 EUV 技术的 6 纳米产品。“据我所知，6 纳米制程的产品是提供给北美的大型企业客户的” 三星合作公司的一位官员表示。行业观察人士认为，三星的 6 纳米产品应该是供应给高通公司。
此前，三星电子在去年 4 月向全球客户提供了 7 纳米产品。仅用了 8 个月就生产出了 6 纳米的产品。与 7 纳米产品相比，6 纳米产品提供了更好的半导体逻辑尺寸、功率和性能。
三星电子(Samsung Electronics)开始大规模生产6-nm 制程产品，对台积电构成了压力。全球市场研究公司 TrendForce 表示，去年第四季度，台积电占全球代工市场的 52.7%，与三星电子(Samsung Electronics) 17.8% 的市场份额差距进一步扩大。
三星未能赶超台积电的主要原因是三星在 16 纳米和 12 纳米工艺之后开发 7 纳米工艺的时间较晚。台积电通过其 7 纳米技术，垄断了苹果（最大的无晶圆厂客户）的 AP 供应。
相比之下，三星电子(Samsung Electronics)在 2014 年首次商业化了 14 纳米鳍场效应晶体管(FinFET)工艺，但在 7 纳米工艺开发方面输给了台积电(TSMC)。目前，7 纳米产品只占三星销售额的一小部分。为了解决这个问题，星正在加紧努力以缩短 7nm 以下微加工工艺的开发周期。
继大量生产 6 纳米产品之后，三星电子计划在今年上半年推出 5 纳米产品。此外，三星电子有在今年上半年采用正在研发中的最新 3 纳米全栅极（GAA）工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA 被认为是当前 FinFET 技术的升级版，能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。
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